レーザリフトオフ — 透明基板から精密にデバイス層を分離
SEISHINのレーザリフトオフ装置は、透明基板（ガラス、サファイア、SiC、GaNなど）に積層されたデバイス層を、基板裏面からレーザーを照射することで、界面アブレーションにより精密に分離する最新の加工機です。ガルバノミラー搭載で、直線加工はもちろん曲線的なレーザー加工にも対応。加工精度と生産効率を両立し、製造現場のニーズに応えます。
レーザリフトオフ装置導入後にできること
透明基板からのデバイス層剥離
従来の化学処理や機械的分離と比べて、デバイス層に損傷を与えずきれいに剥離が可能。
プロセスの簡略化と短縮
レーザーによる非接触加工で、工程数を削減しつつ生産タクトを短縮。歩留まり向上にも貢献。
複雑な形状にも対応
ガルバノミラーにより、カーブや複雑なラインも自在に加工でき、設計自由度が向上。
多様な材料に柔軟対応
ガラス、サファイア、SiC、GaNなどさまざまな基板材料に対応し、幅広い製品開発をサポート。
SEISHIN製レーザリフトオフ装置の特徴
| 高精度で安定した加工性能 | 繰返し位置精度±1μm以下、絶対位置決め精度±5μm以下で、高精度な加工を実現。 |
|---|---|
| 生産性向上 | XYステージ最大500mm × 500mmの広範囲対応と最大1,000mm/secの高速移動で効率的な加工。 |
| 柔軟な制御システム | Windows 10 および PLCによる高度な制御で、安定した運用と使いやすい操作性を両立。 |
| コンパクト設計で省スペース化 | 本体サイズ2400mm(W) × 1700mm(D) × 2000mm(H)、生産ラインにも組み込みやすい設計。 |
レーザーリフトオフ動画
SEISHINのレーザリフトオフ装置は、高精度なデバイス剥離と生産効率向上を実現し、スマートフォンやLED関連製品などの製造現場で威力を発揮します。
対象基板材料
- ガラス
- サファイア
- SiC
- GaN
一般仕様
| 波長 | IR/SHG/THG/FHG |
|---|---|
| パルス幅 | ナノ秒・ピコ・フェムト秒 |
| 光学系 | 固定光学系またはガルバノ光学系 |
| XY ステージ | 500 mm x 500 mm |
| 加工範囲 | 160 mm |
| 移動速度 | Max1,000 mm/sec |
| 繰返し位置精度 | ±1um以下 |
| 絶対位置決め精度 | ±5μm以下 |
| ウエハサイズ | 2～6インチ |
| 制御 | Windows10 および PLC |
| 電源電圧 | AC200V±20V 単相 50/60kHz |
| 外形寸法 | 2400 mm(w) x 1700 mm(d) x2000 mm(h) |
| 本体重量 | 1,000kg |
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