GaN HEMT-on-Si ウエハ（Power用途向け）
製品名：HV650_200mm_GaN HEMT-on-Si
エピ構造：15nm Al₀.₂GaN
基板サイズ：200mm
特長（抜粋）
* 優れたバッファ層のリーク電流特性
* 高い耐圧特性としきい値電圧特性
* 8インチウエハ内での優れた均一性（膜厚、Al含有率）
* 高品質なGaNエピタキシャル結晶性
* クラック・スリップのない滑らかなエピ成長面
* Eモード対応の新規p型GaN成長技術
主要仕様（GaN HEMT-on-Si）
| 基板直径 [mm] | 200 ± 0.3 |
|---|---|
| 基板厚さ [μm] | 1150 ± 25 |
| バッファ層 全体厚さ [μm] | 5.5 |
| チャネル層厚さ [nm] | 200 ※カスタマイズ可 |
| バリア層材料 | AlGaN |
| バリア層厚さ [nm] | 15 ※カスタマイズ可 |
| Al組成（バリア）[%] | 20 ※カスタマイズ可 |
| AlNスペーサー [0=なし / 1=あり] | 1 |
| AlNスペーサー厚さ [nm] | 1 ※カスタマイズ可 |
| キャップ層タイプ | Dモード：μ-GaN Eモード：p-GaN |
| キャップ層厚さ [nm] | Dモード：2 Eモード：80〜90 ※カスタマイズ可 |
| Mgドーピング濃度 [cm⁻³] | 3.00E+19 ※カスタマイズ可 |
| XRDロッキングカーブ [arcsec] | (002) ≦ 600 (102) ≦ 800 |
| 表面粗さ [nm] | ≦ 1.0 |
| 反り / ボウ [μm] | ≦ 50 |
GaN HEMT-on-SiC ウエハ（RF用途向け）
製品名：RF_100mm_GaN HEMT-on-SiC
エピ構造：22nm Al₀.₂₄GaN
基板サイズ：100mmまたは150mm
基板特性：半絶縁性SiC、低ミクロパイプ密度、厚み500μm±25μm
主要仕様（GaN HEMT-on-SiC）
| 基板タイプ | 半絶縁型SiC |
|---|---|
| 基板サイズ［mm］ | 100 または 150 |
| 基板厚み［um］ | 500.0 ± 25.0 |
| マイクロパイプ密度 | ≤ 0.2 / cm² |
| 基板抵抗率 | ≥ 1E+10 Ω·cm |
| エピ層総厚 [nm] | ≤ 500 |
| チャネル厚 [nm] | 250 ※カスタマイズ可能 |
| バリア層の種類 | AlGaN ※InAlNにも対応可 |
| バリア層厚み [nm] | 25 ※カスタマイズ可能 |
| Al組成 [%] | 24 ※カスタマイズ可能 |
| Al組成ばらつき（STD）[%] | ≤ 2 |
| AlNスペーサーの有無 [0=なし / 1=あり] | 1 |
| AlNスペーサー厚み [nm] | 1 ※カスタマイズ可能 |
| キャップ層の種類 | GaNまたはSiN ※In-Situ SiN |
| キャップ層の厚み [nm] | GaN：2、SiN：30 ※カスタマイズ可能 |
| XRDロッキングカーブ [arcsec] | (002) ≤ 300、(102) ≤ 400 |
| 表面粗さ [nm] | ≤ 0.5 |
| 反り / うねり [μm] | ≤ 20 |
| 2DEGシート抵抗 | ≤ 350 Ω/sq ※AlGaNに依存 |
| 2DEGキャリア密度 | ≥ 2000 cm²/V·s |
| 2DEG移動度 | ≥ 7E12 cm⁻² |
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