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5G・パワーデバイス向けGaN HEMTエピタキシャルウエハ
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この資料でわかること(抜粋）
■用途
・5G基地局・RF電力増幅器向け（GaN-on-SiC）
・EV・電源・パワーエレクトロニクス向け（GaN-on-Si）
・防衛産業向け用途への適用
■特長
・優れたバッファリーク特性と高耐圧・高きい値特性
・DAL™プロセスによる欠陥低減と高い放熱信頼性
・8インチウエハ内での均一性（厚み・Al組成）
■仕様概要
・GaN-on-Si：8インチ、XRDロッキングカーブ (002)≤600 arcsec
・GaN-on-SiC：4/6インチ、2DEGシート抵抗≤350 ohm/sq
・チャネル厚・バリア層組成など主要パラメータのカスタマイズ対応
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