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高性能GaN HEMTエピウエハ製品をリリース 〜 RF・パワー半導体向け新ラインナップを提供開始 〜
- 新着情報
2025.06.23
WaveLord株式会社（本社：韓国）は、RFおよびパワー半導体市場向けに最適化されたGaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）エピタキシャルウエハの新製品を発表いたしました。
西進商事では国内市場での販売を請け負い、次世代通信機器や電力変換デバイスに求められる高周波・高耐圧性能に対応したソリューションの提供を行ってまいります。
特徴
* 優れたバッファ層のリーク電流特性
* 高い耐圧特性としきい値電圧特性
* 8インチウエハ内での優れた均一性（膜厚、Al含有率）
* 高品質なGaNエピタキシャル結晶性
* クラック・スリップのない滑らかなエピ成長面
* Eモード対応の新規p型GaN成長技術
製品仕様
| 基板タイプ | 半絶縁型SiC |
|---|---|
| 基板サイズ［mm］ | 100 または 150 |
| 基板厚み［um］ | 500.0 ± 25.0 |
| マイクロパイプ密度 | ≤ 0.2 / cm² |
| 基板抵抗率 | ≥ 1E+10 Ω·cm |
| エピ層総厚 [nm] | ≤ 500 |
| チャネル厚 [nm] | 250 ※カスタマイズ可能 |
| バリア層の種類 | AlGaN ※InAlNにも対応可 |
| バリア層厚み [nm] | 25 ※カスタマイズ可能 |
| Al組成 [%] | 24 ※カスタマイズ可能 |
| Al組成ばらつき（STD）[%] | ≤ 2 |
| AlNスペーサーの有無 [0=なし / 1=あり] | 1 |
| AlNスペーサー厚み [nm] | 1 ※カスタマイズ可能 |
| キャップ層の種類 | GaNまたはSiN ※In-Situ SiN |
| キャップ層の厚み [nm] | GaN：2、SiN：30 ※カスタマイズ可能 |
| XRDロッキングカーブ [arcsec] | (002) ≤ 300、(102) ≤ 400 |
| 表面粗さ [nm] | ≤ 0.5 |
| 反り / うねり [μm] | ≤ 20 |
| 2DEGシート抵抗 | ≤ 350 Ω/sq ※AlGaNに依存 |
| 2DEGキャリア密度 | ≥ 2000 cm²/V·s |
| 2DEG移動度 | ≥ 7E12 cm⁻² |
製品仕様については以下のボタンからご確認ください。